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上海微系统与信息技术... [6]
新疆理化技术研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2013 [3]
2012 [2]
2011 [6]
学科主题
Physics [11]
Multidisci... [2]
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学科主题:Physics
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Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13
作者:
Wu Xue
;
Lu Wu
;
Wang Xin
;
Xi Shan-Bin
;
Guo Qi
收藏
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浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2013/11/07
0.18 mu m
narrow-channel NMOS transistor
60Co gamma
RINCE
research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: -
作者:
Zheng Qi-Wen
;
Yu Xue-Feng
;
Cui Jiang-Wei
;
Guo Qi
;
Ren Di-Yuan
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2013/11/07
SRAM
function failure
test pattern
data retention fault
research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
作者:
Zheng Qi-Wen
;
Yu Xue-Feng
;
Cui Jiang-Wei
;
Guo Qi
;
Ren Di-Yuan
收藏
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浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2013/11/07
Sram
Function Failure
Test Pattern
Data Retention Fault
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Chen, M
;
Zou, SC(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX
;
Ning, BX
;
Bi, DW
;
Chen, M
;
Zou, SC
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/04/17
total ionizing dose
shallow trench isolation
oxide trapped charge
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Cui Jiang-Wei
;
Lan Bo
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Co-60 gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: -
作者:
Wang Yi-Yuan
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Guo Qi
;
Yu Xue-Feng
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/11/29
bipolar linear regulators
total ionizing dose
dose rate effect
radiation damage
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Ning, BX
;
Zou, SC(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
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