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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thermal annealing effects on a compositionally graded SiGe layer fabricated by oxidizing a strained SiGe layer 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.02.075, 2008 Cai, K. H.; Li, C.; Zhang, Y.; Xu, J. F.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 THREADING DISLOCATION DENSITIES  ON-INSULATOR LAYERS  GEXSI1-X LAYERS  GE  RELAXATION