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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [3]
2007 [2]
2006 [1]
2004 [1]
2001 [3]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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Raman scattering study of vibrational modes and hole concentration in GaxMn1-xSb
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095010
Islam MR (Islam M. R.)
;
Hasan MM (Hasan M. M.)
;
Chen N (Chen N.)
;
Fukuzawa M (Fukuzawa M.)
;
Yamada M (Yamada M.)
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浏览/下载:260/25
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提交时间:2010/09/20
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
PHONON
FERROMAGNETISM
TEMPERATURE
GA1-XMNXAS
SPECTRA
STRAIN
LAYERS
GAAS
SPIN
In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516
Yu JL (Yu J. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Jiang CY (Jiang C. Y.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
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浏览/下载:293/18
  |  
提交时间:2010/08/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
STRAIN RELAXATION
GROWTH TEMPERATURE
INTERFACE
ALLOYS
GAAS
HETEROSTRUCTURES
MICROSTRUCTURE
GANXAS1-X
NITROGEN
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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浏览/下载:212/46
  |  
提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film
期刊论文
materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer
期刊论文
applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428
作者:
Duan RF
;
Wei TB
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Anomalous temperature dependence of photoluminescence peak energy in InAs/InAlAs/InP quantum dots
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 606-610
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2010/04/11
nanostructures
semiconductors
optical properties
luminescence
WAVELENGTH
NANOSTRUCTURES
INTERBAND
LASERS
Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85
Wu, JJ
;
Li, DB
;
Lu, Y
;
Han, XX
;
Li, JM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Wang, XH
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/17
cracks
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:99/8
  |  
提交时间:2010/08/12
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
The formation and stability of Si1-xCx alloys in Si implanted with carbon
期刊论文
chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 200-204
Wang YS
;
Li JM
;
Jin YF
;
Wang YT
;
Sun GS
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/08/12
ion implantation
Si1-xCx alloys
stability of Si1-xCx alloys
SI1-YCY
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