×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安理工大学 [7]
湖南大学 [6]
西安交通大学 [1]
北京航空航天大学 [1]
微电子研究所 [1]
高能物理研究所 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [13]
学位论文 [4]
会议论文 [2]
发表日期
2019 [19]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条，第1-10条
帮助
限定条件
发表日期：2019
已选(
0
)
清除
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
3300V SiC MOSFET设计及可靠性研究
学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者:
陈宏
收藏
|
浏览/下载：31/0
|
提交时间：2019/09/05
Large current nanosecond pulse generating circuit for driving semiconductor laser diode
期刊论文
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 867
作者:
Wen, Shaocong
;
Wang, Mao
;
Xie, Jie
;
Wu, Dongmin
收藏
|
浏览/下载：40/0
|
提交时间：2019/12/26
circuit modeling
driver circuit
light detection and ranging (Lidar)
semiconductor lasers
time-of-flight (TOF)
Development of a Pulsed Power Supply Utilizing 13 kV Class SiC-MOSFET
会议论文
Australia, 2019
作者:
K. Takayama
;
K. Okamura
;
F. Naito
收藏
|
浏览/下载：25/0
|
提交时间：2019/08/06
A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者:
Ren, Yu
;
Yang, Xu
;
Zhang, Fan
;
Wang, Fei
;
Tolbert, Leon M.
收藏
|
浏览/下载：33/0
|
提交时间：2019/11/19
Gate drivers
Integrated circuit reliability
MOS-FET
Series connections
SiC MOSFET
Solid State Circuit Breaker
Voltage balancing
Wide band gap devices
Online junction temperature estimation method for SiC modules with built-in NTC sensor
期刊论文
CPSS Transactions on Power Electronics and Applications, 2019, 卷号: Vol.4 No.1, 页码: 94-99
作者:
Ping Liu
;
Changle Chen
;
Xing Zhang
;
Shoudao Huang
收藏
|
浏览/下载：101/0
|
提交时间：2019/12/13
Silicon carbide
Junctions
MOSFET
Temperature sensors
Impedance
Heating systems
Mathematical model
Boundary conditions
junction temperature
silicon carbide (SiC)
thermal model.
Carrier-Based Double Integral Sliding-Mode Controller of Class-D Amplifier
期刊论文
IEEE Access, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 1275-1283
作者:
Xiaohua Wu
;
Haider Zaman
;
Xiancheng Zheng
;
Shahbaz Khan
;
Husan Ali
收藏
|
浏览/下载：13/0
|
提交时间：2019/12/13
Mathematical
model
Frequency
response
Q-factor
Control
systems
Switching
frequency
Silicon
carbide
Voltage
control
Carrier-based
double
integral
sliding-mode
(CBDISM)
class-D
amplifier
Q-factor
SiC
MOSFET
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Jun Wang
;
Xi Jiang
;
Zongjian Li
;
Z. John Shen
收藏
|
浏览/下载：9/0
|
提交时间：2019/12/13
MOSFET
Silicon carbide
Logic gates
Insulated gate bipolar transistors
Switches
Leakage currents
Silicon
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Jun Wang
;
Zongjian Li
;
Xi Jiang
;
Cheng Zeng
;
Z. John Shen
收藏
|
浏览/下载：8/0
|
提交时间：2019/12/13
Switches
Insulated
gate
bipolar
transistors
Silicon
carbide
MOSFET
Logic
gates
Silicon
Gate
control
hybrid
switch
IGBT
junction
temperature
mosfet
power
loss
SiC
Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754
作者:
Wang, J
;
Li, ZJ
;
Jiang, X
;
Zeng, C
;
Shen, ZJ
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2019/12/17
Gate control
hybrid switch
IGBT
junction temperature
MOSFET
power loss
SiC
Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780
作者:
Wang, J
;
Jiang, X
;
Li, ZJ
;
Shen, ZJ
收藏
|
浏览/下载：11/0
|
提交时间：2019/12/17
Failure analysis
gate control
hybrid switch (HyS)
IGBT
short-circuit (SC)
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace
