| 题名 | 3300V SiC MOSFET设计及可靠性研究 |
| 作者 | 陈宏 |
| 答辩日期 | 2019-05-21 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 导师 | 韩郑生 ; 邱宇峰 |
| 学位专业 | 电子与信息 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ime.ac.cn/handle/172511/19345]  |
| 专题 | 微电子研究所_硅器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈宏. 3300V SiC MOSFET设计及可靠性研究[D]. 中国科学院大学. 2019. |
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