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半导体研究所 [21]
内容类型
期刊论文 [15]
会议论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2004 [2]
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学科主题
半导体材料 [21]
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学科主题:半导体材料
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Reconstruction of GaAs/AlAs supperlattice multilayer structure by quantification of AES and SIMS sputter depth profiles
期刊论文
applied surface science, 2016, 卷号: 388, 页码: 584-588
H.L. Kang
;
J.B. Lao
;
Z.P. Li
;
W.Q. Yao
;
C. Liu
;
J.Y. Wang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/10
GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
程雨
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2015/05/29
锑化镓(GaSb)
化学机械抛光
二次离子质谱(SIMS)
XPS
表面形貌
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
收藏
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浏览/下载:103/26
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提交时间:2010/03/29
homoepitaxy
4H-SiC
multi-epilayer
UV detection
p(+)-pi-n(-)
ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR
EPITAXIAL-GROWTH
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:166/71
  |  
提交时间:2010/03/29
ALN
IMPURITIES
DONOR
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:205/60
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:179/57
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提交时间:2010/03/09
LAYERS
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/10/29
PHOTOLUMINESCENCE
LUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
Study on pollution for the photoelectronic material InP
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2002, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 550-551
Xu JC
;
Ding XP
;
Chen DQ
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
mass spectrum analysis
photoluminescence
electron concentration
electron mobility
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