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半导体研究所 [44]
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期刊论文 [38]
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Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 1, 页码: 012101
作者:
Liang-Po Tang
;
Li-Ming Tang
;
Hua Geng
;
Yuan-Ping Yi
;
Zhongming Wei
;
Ke-Qiu Chen
;
Hui-Xiong Deng
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/11/15
Electrical and magnetic properties of ga1-xgdxn grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Gupta, Shalini
;
Zaidi, Tahir
;
Melton, Andrew
;
Malguth, Enno
;
Yu, Hongbo
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
The explanation of inn bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
Physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Liu, Chaoren
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Electrical and magnetic properties of Ga(1-x)Gd(x)N grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 83920
Gupta, S
;
Zaidi, T
;
Melton, A
;
Malguth, E
;
Yu, HB
;
Liu, ZQ
;
Liu, XT
;
Schwartz, J
;
Ferguson, IT
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
FERROMAGNETIC PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
GAGDN
Ferromagnetic properties in fe-doped zns thin films
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
作者:
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
;
Yang, Guandong
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Fe-doped zns
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High curie temperature
The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
作者:
Liu, B.
;
Zhang, Z.
;
Zhang, R.
;
Fu, D. Y.
;
Xie, Z. L.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Ferromagnetic properties in Fe-doped ZnS thin films
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2010, 卷号: 4, 期号: 12, 页码: 2072-2075
Zhu F
;
Dong S
;
Yang GD
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浏览/下载:38/1
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提交时间:2011/07/06
Fe-doped ZnS
First principles calculation
Ferromagnetic properties
High Curie temperature
OPTICAL-PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
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