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半导体研究所 [118]
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Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications
期刊论文
MATERIALS, 2020, 卷号: 13, 期号: 17, 页码: 3835
作者:
Qi Chen
;
Yue Yin
;
Fang Ren
;
Meng Liang
;
Xiaoyan Yi
;
Zhiqiang Liu
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/05/25
Epitaxy of III-Nitrides on β-Ga2O3 and Its Vertical Structure LEDs
期刊论文
Micromachines, 2019, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 322
作者:
Weijiang Li
;
Xiang Zhang
;
Ruilin Meng
;
Jianchang Yan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Tongbo Wei
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2020/07/31
Analysis of Photoluminescence Thermal Quenching: Guidance for the Design of Highly Effective p-type Doping of Nitrides
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 32033
Zhiqiang Liu
;
Yang Huang
;
Xiaoyan Yi
;
Binglei Fu
;
Guodong Yuan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Yong Zhang
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/16
Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 19537
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Zhiguo Yu
;
Gongdong Yuan
;
Yang Liu
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Na Lu
;
Ian Ferguson
;
Yong Zhang
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/16
Co-doping of magnesium with indium in nitrides: first principle calculation and experiment
期刊论文
rsc advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 5111-5115
Zhiqiang Liu
;
Binglei Fu
;
Xiaoyan Yi
;
Guodong Yuan
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Luna
;
Ian Ferguson
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/16
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
A study on the spectral response of back-illuminated p-i-n AlGaN heterojunction ultraviolet photodetector
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 53701
Zhao DG
;
Zhang S
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/02/06
SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
III-NITRIDES
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Phonon and Elastic Instabilities in Zincblende TlN under Hydrostatic Pressure from First Principles Calculations
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 100503
Shi, LW
;
Duan, YF
;
Yang, XQ
;
Tang, G
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/02/06
AB-INITIO
STATE PROPERTIES
V COMPOUNDS
1ST-PRINCIPLES
NITRIDE
BCC
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