×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [11]
内容类型
外文期刊 [11]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2008 [6]
2004 [1]
1996 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:外文期刊
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure
外文期刊
2010
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
;
Wu, Dx
;
Zhou, L
;
Chang, HD
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Inp/gaassb/inp Dhbts
Graded-base
Ghz
Bvceo
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT
外文期刊
2009
作者:
Jin, Z
;
Liu, XY
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz
外文期刊
2009
作者:
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Qi, M
;
Xu, AH
;
Liu, XY
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/26
红外与毫米波学报
Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, Y
;
Cheng, W
;
Liu, X
;
Xu, A
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/26
High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Amplifier
Base
High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Su, YB
;
Cheng, W
;
Liu, XY
;
Xu, AH
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination
外文期刊
2008
作者:
Jin, Z
;
Liu, X
;
Prost, W
;
Tegude, FJ
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Heterojunction Bipolar-transistors
Graded-base
Sinx Passivation
Npn
200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography
外文期刊
2008
作者:
Xu, JB
;
Zhang, HY
;
Wang, WX
;
Liu, L
;
Li, M
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Lmds
Etched-diffraction-grating-based planar waveguide demultiplexer on silicon-on-insulator
外文期刊
2004
作者:
Wang, WH
;
Tang, YZ
;
Wang, YX
;
Qu, HC
;
Wu, YM
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Large Cross-section
Ingaasp/inp
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace