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	Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure
	Jin, Z; Liu, XY; Wu, Dx; Zhou, L; Chang, HD; Wang, XT; Su, YB; Liu, HG
	2010
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8952]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Jin, Z,Liu, XY,Wu, Dx,et al. Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed "Type-II" GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure. 2010.

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