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	200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography
	Xu, JB; Zhang, HY; Wang, WX; Liu, L; Li, M; Fu, XJ; Niu, JB; Ye, TC
	2008
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8792]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu, JB,Zhang, HY,Wang, WX,et al. 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography. 2008.

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