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半导体研究所 [13]

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半导体物理 [13]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114 Jiang JW; Wang BS; Wang JS 收藏 \| 浏览/下载：52/4 \| 提交时间：2011/07/05
	The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文 physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：59/6 \| 提交时间：2011/07/05 First principle calculation Indium nitride Band gap Defect INITIO MOLECULAR-DYNAMICS AUGMENTED-WAVE METHOD INDIUM NITRIDE GAP PSEUDOPOTENTIALS SEMICONDUCTORS IMPURITIES ABSORPTION DEFECTS ALLOYS
	First-principles study of UC2 and U2C3 期刊论文 journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222 Shi HL (Shi Hongliang); Zhang P (Zhang Ping); Li SS (Li Shu-Shen); Wang BT (Wang Baotian); Sun B (Sun Bo) 收藏 \| 浏览/下载：78/12 \| 提交时间：2010/04/21 First-principle calculation GGA plus U Elastic constants Chemical bonding Valence state BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS CARBIDES SPECTRA METALS
	First principle study of Mg, Si and Mn co-doped GaN 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：231/44 \| 提交时间：2010/03/08 Mg Si and Mn co-doped GaN electronic structure T-C optical properties
	The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704 作者: Li JB 收藏 \| 浏览/下载：131/30 \| 提交时间：2010/03/08 AUGMENTED-WAVE METHOD P-TYPE ZNO POINT-DEFECTS II-VI NITROGEN SEMICONDUCTORS 1ST-PRINCIPLES COMPENSATION ENHANCEMENT
	Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles LDA plus U and GGA plus U calculations 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581 Shi HL; Zhang P; Li SS; Sun B; Wang BT 收藏 \| 浏览/下载：54/1 \| 提交时间：2010/03/08 First-principle calculation LDA plus U GGA plus U Elastic constants Phonon dispersion
	Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN MOLECULAR-BEAM EPITAXY AUGMENTED-WAVE METHOD VAPOR-PHASE EPITAXY ELECTRICAL-PROPERTIES OXYGEN ACTIVATION SILICON
	First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4279-4284 Fang, ZJ; Shi, LJ; Liu, YH 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2010/03/08 CuMO2 native defects vienna ab-initio simulation package (VASP)
	Transmission properties of electron in quantum rings 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723 Li, CL; Yang, FH; Feng, SL; Wang, XM 收藏 \| 浏览/下载：109/1 \| 提交时间：2010/03/08 PERSISTENT CURRENTS ENERGY STATES WELL FLUX
	INTERVALLEY-GAMMA-CHI DEFORMATION POTENTIALS IN III-V ZINCBLENDE AND SI SEMICONDUCTORS BY AB-INITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS 期刊论文 communications in theoretical physics, 1993, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 159-170 WANG JQ; GU ZQ; LI MF; LAI WY 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2010/11/15 NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS LATTICE-DYNAMICAL PROPERTIES SCATTERING RATES STRUCTURAL-PROPERTIES TEMPERATURE-DEPENDENCE ELECTRON-PHONON GAAS SPECTROSCOPY POINTS TIN

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