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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
发表日期
2011 [2]
2010 [1]
2009 [3]
2008 [3]
1993 [1]
1991 [3]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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First principle study of the thermal conductance in graphene nanoribbon with vacancy and substitutional silicon defects
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 11, 页码: article no.113114
Jiang JW
;
Wang BS
;
Wang JS
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浏览/下载:52/4
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提交时间:2011/07/05
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
First-principles study of UC2 and U2C3
期刊论文
journal of nuclear materials, 2010, 卷号: 396, 期号: 2-3, 页码: 218-222
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
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浏览/下载:78/12
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提交时间:2010/04/21
First-principle calculation
GGA plus U
Elastic constants
Chemical bonding
Valence state
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
CARBIDES
SPECTRA
METALS
First principle study of Mg, Si and Mn co-doped GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 1, 页码: 450-458
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:231/44
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提交时间:2010/03/08
Mg Si and Mn co-doped GaN
electronic structure
T-C
optical properties
The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:131/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
Electronic structures and mechanical properties of uranium monocarbide from first-principles LDA plus U and GGA plus U calculations
期刊论文
physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 39, 页码: 3577-3581
Shi HL
;
Zhang P
;
Li SS
;
Sun B
;
Wang BT
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浏览/下载:54/1
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提交时间:2010/03/08
First-principle calculation
LDA plus U
GGA plus U
Elastic constants
Phonon dispersion
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P
;
Gai, YQ
;
Wang, JX
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, JB
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/08
P-TYPE GAN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
AUGMENTED-WAVE METHOD
VAPOR-PHASE EPITAXY
ELECTRICAL-PROPERTIES
OXYGEN
ACTIVATION
SILICON
First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4279-4284
Fang, ZJ
;
Shi, LJ
;
Liu, YH
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/03/08
CuMO2
native defects
vienna ab-initio simulation package (VASP)
Transmission properties of electron in quantum rings
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723
Li, CL
;
Yang, FH
;
Feng, SL
;
Wang, XM
收藏
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浏览/下载:109/1
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提交时间:2010/03/08
PERSISTENT CURRENTS
ENERGY
STATES
WELL
FLUX
INTERVALLEY-GAMMA-CHI DEFORMATION POTENTIALS IN III-V ZINCBLENDE AND SI SEMICONDUCTORS BY AB-INITIO PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
期刊论文
communications in theoretical physics, 1993, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 159-170
WANG JQ
;
GU ZQ
;
LI MF
;
LAI WY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
NORM-CONSERVING PSEUDOPOTENTIALS
LATTICE-DYNAMICAL PROPERTIES
SCATTERING RATES
STRUCTURAL-PROPERTIES
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ELECTRON-PHONON
GAAS
SPECTROSCOPY
POINTS
TIN
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