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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：184/45  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：206/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE   Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 Dong ZY; Zhao YW; Zeng YP; Duan ML; Sun WR; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：351/16  |  提交时间：2010/08/12 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide  FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  DEFECTS  DIFFUSION  CRYSTALS  WAFERS   Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 LT-GaAs  LT MQWs  defect  photoluminescence  electroabsorption  SPATIAL LIGHT MODULATORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  RECOMBINATION  DYNAMICS   Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354 Zhang YH; Lu LW; Zhang MH; Huang Q; Bao CL; Zhou JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low-temperature-grown GaAs  optical transient spectroscopy  BEAM-EPITAXIAL GAAS   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS