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半导体研究所 [12]
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期刊论文 [11]
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学科主题
半导体材料 [12]
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学科主题:半导体材料
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Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect
期刊论文
Appl. Phys. Lett., 2017, 卷号: 111, 页码: 113506
作者:
Caihong Jia
;
Xiaoqian Yin
;
Guang Yang
;
Yonghui Wu
;
Jiachen Li
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/23
Origin of attendant phenomena of bipolar resistive switching and negative differential resistance in SrTiO3:Nb/ZnO heterojunctions
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 043501
Jia, CH
;
Sun, XW
;
Li, GQ
;
Chen, YH
;
Zhang, WF
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  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Bipolar characteristics of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2013, 卷号: 576, 页码: 48–53
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/03/18
Temperature performance of the edge emitting transistor laser
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 13503
Liang S
;
Zhu HL
;
Kong DH
;
Niu B
;
Zhao LJ
;
Wang W
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/02/06
HETEROSTRUCTURE LASER
BIPOLAR-TRANSISTOR
OPERATION
INTEGRATION
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
semiconductor photonics and technology, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 215-217
LIN Tao
;
CAI Daomin
;
LI Xianjie
;
JIANG Li
;
ZHANG Guangze
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096
Zhang Yongxing
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Gao Xin
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Li Siyuan
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng
;
Sun Yanling
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Luo Muchang
;
Zhang Yongxing
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Lin Lanying
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
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浏览/下载:149/5
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
semiconducting gegermanium
semiconducting silicon
bipolar transistors
heterojunction semiconductor devices
POWER
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
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浏览/下载:70/14
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提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
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