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半导体材料 [8]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	MOCVD-grown high-mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 791-793 Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang CM (Wang Cuimei); Hu GX (Hu Guoxin); Mao HL (Mao Hongling); Fang CB (Fang Cebao); Wang JX (Wang Junxi); Ran JX (Ran Junxue); Li HP (Li Hanping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2010/03/29 2DEG
	Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：74/0 \| 提交时间：2010/03/17 cracks
	Metal-organic Vapor Phase Epitaxy Growth and Characterization of InAlGaN Epilayers 期刊论文人工晶体学报, 2004, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 539-544 作者: Li Dabing 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏 \| 浏览/下载：99/7 \| 提交时间：2010/08/12 computer simulation molecular vapor phase epitaxy nitrides semiconducting quaternary alloys CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION QUATERNARY ALLOYS PHASE EPITAXY GAN ALINGAN
	Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者: Xu B; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：77/2 \| 提交时间：2010/08/12 nanostructures molecular beam epitaxy semiconducting III-V materials ELECTRON-PHONON INTERACTIONS TEMPERATURE-DEPENDENCE SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS CARRIER TRANSFER INAS GAAS LASERS ISLANDS GROWTH GAIN
	Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者: Ye XL; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots InP substrate high index In(Ga,Al)As/InAlAs/InP MBE MOLECULAR-BEAM-EPITAXY VAPOR-PHASE EPITAXY GAAS ISLANDS PHOTOLUMINESCENCE INP(001) GROWTH LASERS
	Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2010/11/15 bimodal distribution photoluminescence (PL) quantum-size effect GE ENSEMBLES SI(100) GROWTH SHAPE
	Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 528-531 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2010/08/12 bimodal distribution photoluminescence (PL) quantum-size effect ENSEMBLES SI(100) GROWTH SHAPE GE

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