×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [519]
上海微系统与信息技... [92]
物理研究所 [22]
厦门大学 [5]
西安光学精密机械研究... [5]
苏州纳米技术与纳米仿... [3]
更多...
内容类型
期刊论文 [585]
会议论文 [63]
专利 [4]
学位论文 [4]
成果 [1]
发表日期
2016 [4]
2011 [39]
2010 [30]
2009 [25]
2008 [42]
2007 [22]
更多...
学科主题
半导体材料 [252]
半导体物理 [154]
光电子学 [69]
Physics, ... [11]
Crystallo... [10]
半导体化学 [9]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共657条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
GaAs Nanowires Grown by Catalyst Epitaxy for High Performance Photovoltaics
期刊论文
CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 21
作者:
Wang, Ying
;
Zhou, Xinyuan
;
Yang, Zaixing
;
Wang, Fengyun
;
Han, Ning
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2018/12/04
Gaas Nanowires
Catalyst Epitaxy
Photovoltaics
Optical Absorption
Schottky Barrier
Determination of adsorption-controlled growth windows of chalcogenide perovskites
期刊论文
MRS COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 145, 151
作者:
Filippone, Stephen A.
;
Sun, Yi-Yang
;
Jaramillo, R.
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2018/12/28
Study of optical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 674
作者:
Gu, H(顾泓)
;
Ren, GQ(任国强)
;
Zhou, TF(周桃飞)
;
Tian, FF(田飞飞)
;
Xu, Y(徐俞)
收藏
  |  
浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2017/03/11
The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31, 期号: 6
作者:
Jahn, U
;
Musolino, M
;
Lahnemann, J
;
Dogan, P
;
Garrido, SF
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Jiang, T
;
Xu, SR
;
Zhang, JC
;
Li, PX
;
Huang, J(黄俊)
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires
期刊论文
NANO LETTERS, 2016
Ji, Xianghai
;
Yang, Xiaoguang
;
Du, Wenna
;
Pan, Huayong
;
Yang, Tao
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2017/12/03
Core-shell nanowires
InAs(Sb)/GaSb
selective-area growth
crystal structure
metal-organic chemical vapor deposition
electrical properties
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INASSB NANOWIRES
SI
SILICON
AU
ARRAYS
GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER
期刊论文
Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2
C. J. Dong
;
M. Xu
;
W. Lu
;
Q. Z. Huang
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2013/12/24
Thin films
nitrides
sputtering
microstructure
chemical-vapor-deposition
molecular-beam epitaxy
optical-properties
lattice-constants
phase epitaxy
wurtzite inn
thin-films
layers
spectroscopy
nitridation
Simulation of doping levels and deep levels in InGaN-based single-junction solar cell
期刊论文
2012
Lin, Shuo
;
Zeng, Shengwei
;
Cai, Xiaomei
;
Zhang, Jiangyong
;
Wu, Shaoxiong
;
Sun, Li
;
Zhang, Baoping
;
张保平
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2013/04/01
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
DOPED GAN
BAND-GAP
PHOTOVOLTAIC PROPERTIES
INDIUM NITRIDE
INN FILMS
ACTIVATION
DIFFUSION
CHARGE
Large "near junction" thermal resistance reduction in electronics by interface nanoengineering
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF HEAT AND MASS TRANSFER, 2011, 卷号: 54, 期号: 25-26, 页码: 5183-5191
作者:
Hu, Ming
;
Zhang, Xiaoliang
;
Poulikakos, Dimos
;
Grigoropoulos, Costas P.
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2015/12/18
Electronics cooling
Near transistor junction
Interfacial thermal resistance
Molecular dynamics
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace