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| 大高宽比纳米级金属结构的制作方法 专利
专利号: CN201610407163.0, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-11-09
作者: 李海亮 ; 史丽娜; 牛洁斌; 王冠亚; 谢常青
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| 一种硅深孔刻蚀方法 专利
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者: 赵超; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真
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| 三维存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201410404550.X, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2014-11-19
作者: 霍宗亮; 刘明; 靳磊
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| 一种深亚微米U型栅槽的制作方法 专利
专利号: CN201410005105.6, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2014-04-09
作者: 孔欣; 刘果果; 魏珂; 刘新宇
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| 多个耿氏二极管耦合增大毫米波振荡源的功率输出 专利
专利号: CN201210233913.9, 申请日期: 2014-04-02, 公开日期: 2012-10-17
作者: 武德起; 贾锐; 金智; 刘新宇; 叶甜春
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| 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 专利
专利号: CN200810240275.7, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2009-05-27
作者: 陈大鹏; 何伟; 明安杰; 薛惠琼; 焦斌斌
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| 一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法 专利
申请日期: 2009-12-24,
作者: 宋毅; 周华杰; 徐秋霞
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| 一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 专利
专利号: CN101383388, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-03-11
作者: 万里兮; 杨成樾; 申华军; 李宝霞; 李志华
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| 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 4，214-216,220
作者: 张育胜
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| 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732
作者: 万里兮; 吕垚; 李宝霞
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