基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法

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	基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
	陈大鹏; 何伟; 明安杰; 薛惠琼; 焦斌斌; 欧毅
	2011-04-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810240275.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C.在每一红外探测单元中形成所述电气连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。
公开日期	2009-05-27
申请日期	2008-12-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7766]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,何伟,明安杰,等. 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法. CN200810240275.7. 2011-04-20.