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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Design consideration of ion implantation in dopant segregation technique at NiSi/Si interface 其他 2010-01-01 Guo, Yue; An, Xia; Huang, Ru; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 The modulation of Schottky barrier height of NiSi/n-Si Schottky diodes by silicide as diffusion source technique 期刊论文 chinese physics b, 2009 An Xia; Fan Chun-Hui; Huang Ru; Guo Yue; Xu Cong; Zhang Xing; Wang Yang-Yuan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 Schottky barrier height  silicide-as-diffusion source  Ni silicide  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  METAL SOURCE/DRAIN  THERMAL-STABILITY  FILMS  CONTACTS  DRAIN