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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 原位SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱晶体质量与发光特性 学位论文 2016, 2016 黄德猛 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/06/20 InGaN/GaN量子阱  表面/界面改性  原位SiNx处理  表面形貌  发光  InGaN/GaN quantum well  surface/interface modification  in situ SiNx pretreatment  Surface morphology  Luminescence   Silicon-induced strain relaxation and enhanced gallium surfactant effects on gallium nitride island shaping 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/jp7112522, 2008 Fang, Z. L.; Kang, J. Y.; Huang, W. J.; Sun, H. T.; Lu, M.; Kong, J. F.; Shen, W. Z.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  GAN NANOWIRES  GROWTH  NANOSTRUCTURES  HETEROEPITAXY  TEMPERATURE  NANODEVICES  DEPENDENCE  EVOLUTION   Silicon-induced strain relaxation and enhanced gallium surfactant effects on gallium nitride island shaping 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1021/jp7112522, 2008 Fang, Z. L.; Kang, J. Y.; Huang, W. J.; Sun, H. T.; Lu, M.; Kong, J. F.; Shen, W. Z.; 方志来 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SELF-ORGANIZATION  GAN NANOWIRES  GROWTH  NANOSTRUCTURES  HETEROEPITAXY  TEMPERATURE  NANODEVICES  DEPENDENCE  EVOLUTION