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题名	原位SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱晶体质量与发光特性; Crystalline qualities and optical properties of InGaN/GaN quantum well improved by in situ SiNx pretreatment of GaN template
作者	黄德猛
答辩日期	2016-12-20 ; 2016-05-23
导师	方志来
关键词	InGaN/GaN量子阱 表面/界面改性 原位SiNx处理 表面形貌 发光 InGaN/GaN quantum well surface/interface modification in situ SiNx pretreatment Surface morphology Luminescence
英文摘要	由于存在比较大的晶格失配和热失配，以蓝宝石为衬底的GaN外延层位错密度高，晶体质量差，阻碍了GaN基器件性能的进一步提高。降低GaN外延层中的位错密度，提高GaN材料的晶体质量是提高相关器件性能的基础，也是科研人员面临的机遇和挑战。 表面/界面改性技术可有效调控GaN和InGaN材料的生长行为及特性，通过对GaN基材料的不同生长阶段（不同位置）进行SiNx处理，调控GaN的生长模式与应力分布，可大幅降低GaN薄膜的位错密度，明显改善其表面形貌，增强发光性能。国际上已开展了许多关于SiNx处理改善GaN薄膜性质的研究，而SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱的研究仍然是个空白。本文在生长I...; Due to the large lattice and thermal mismatches between GaN and sapphire, heteroepitaxially grown GaN films are usually characterized by high dislocation density and poor crystalline quality. Great efforts have been made to reduce dislocation density and improve crystal quality of GaN films for improvement of device performance fabricated from them. During the epitaxial growth, surface/in...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理科学与技术学院_凝聚态物理; 学号：19820131152958
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=58062
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134413]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	黄德猛. 原位SiNx预处理改善InGaN/GaN量子阱晶体质量与发光特性, Crystalline qualities and optical properties of InGaN/GaN quantum well improved by in situ SiNx pretreatment of GaN template[D]. 2016, 2016.

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