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Morphology and carrier mobility of high-B-content BxAl1xN ternary alloys from an ab initio global search 期刊论文
Nanoscale, 2022, 卷号: 14, 期号: 31, 页码: 11335-11342
作者:  Z. Qi;  Z. Shi;  H. Zang;  X. Ma;  Y. Yang
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Investigation of native defects and impurities in X-N (X = Al, Ga, In) 期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 188, 页码: 9
作者:  Chen, Yingjie;  Wu, Liyuan;  Liang, Dan;  Lu, Pengfei;  Wang, Jianjun
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Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation 期刊论文
Advanced Science, 2021, 卷号: 8, 期号: 18
作者:  H. Zang;  X. Sun;  K. Jiang;  Y. Chen;  S. Zhang
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Point defects in group III nitrides: A comparative first-principles study 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125
作者:  Gao, Yinlu;  Sun, Dan;  Jiang, Xue;  Zhao, Jijun
收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2019/12/02
Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158
作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/20
First-principles study of alloying effects on fluorine incorporation in AlxGa1-xN alloys 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 6
作者:  Wang, Rong*;  Tan, Wei*;  Zhang, Jian;  Chen, Feng-Xiang;  Wei, Su-Huai*
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/04
提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究 学位论文
2016, 2014
李晓莹
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/06/20
Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
Chen Y. R.; Song H.; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/24
Low-density nanoporous phases of group-III nitrides built from sodalite cage clusters 期刊论文
2013, 卷号: 15, 页码: 8186-8198
作者:  Liu, Zhifeng[1];  Wang, Xinqiang[1];  Liu, Gaobin[1];  Zhou, Ping[1,2];  Sui, Jian[1]
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Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉)
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