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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 期刊论文 电子器件, 2018, 卷号: 41, 页码: 1367-1371 作者:  蔡剑辉[1];  陈治西[2];  刘晨鹤[3];  张栋梁[4];  刘强[5] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22 MoS2背栅场效应晶体管  杂质吸附  不同的扫描条件  回滞窗口  亚阈值斜率