| 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响 | |
| 蔡剑辉[1]; 陈治西[2]; 刘晨鹤[3]; 张栋梁[4]; 刘强[5]; 俞文杰[6]; 刘新科[7]; 马忠权[8] | |
| 刊名 | 电子器件
 |
| 2018 | |
| 卷号 | 41页码:1367-1371 |
| 关键词 | MoS2背栅场效应晶体管 杂质吸附 不同的扫描条件 回滞窗口 亚阈值斜率 |
| ISSN号 | 1005-9490 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2168033 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | 1.[1]上海大学物理系,上海200444 2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050[2]上海大学物理系,上海200444 3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050[3]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050[4]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050[5]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050[6]中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050[7]深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,广东 深圳518060[8]上海大学物理系,上海,200444 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡剑辉[1],陈治西[2],刘晨鹤[3],等. 杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响[J]. 电子器件,2018,41:1367-1371. |
| APA | 蔡剑辉[1].,陈治西[2].,刘晨鹤[3].,张栋梁[4].,刘强[5].,...&马忠权[8].(2018).杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响.电子器件,41,1367-1371. |
| MLA | 蔡剑辉[1],et al."杂质吸附对背栅MoS2场效应晶体管电学性能的影响".电子器件 41(2018):1367-1371. |
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