|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
  收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 仲莉; 刘素平
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法 专利
专利号: CN110137804A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16
作者: 刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 三维硅基微型储能系统纳米阵列阳极的制备及特性研究 学位论文
2017, 2016
岳闯
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/06/20
|
| ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文
半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65
作者: 操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/11/20
|
| AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏 | 浏览/下载：70/0 | 提交时间：2016/06/01
|
| 量子点光子晶体激光器的理论研究与工艺制备 期刊论文
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2016, 期号: 3
作者: 邢恩博
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2017/09/17
|
| 一种用于制备蓝宝石衬底的GaN基半导体激光器腔面的方法 专利
专利号: CN103915757A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
作者: 王金翠; 沈燕; 张木青; 刘欢; 刘长江
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
