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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study of high breakdown voltage GaN-based current-aperture vertical electron transistor with source-connected field-plates for power applications 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33 作者:  Wang, Haiyong;  Mao, Wei;  Cong, Guanyu;  Wang, Xiaofei;  Du, Ming 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/19 source-connected field-plates  breakdown voltage  specific on-resistance  GaN-based CAVET  power device