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一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜 专利
专利号: CN208970927U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者:  于志远;  司智春;  季安;  黄永光
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高效稳定的钙钛矿量子点的合成、表征及LED器件性能研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  刘哲钦
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2020/08/24
全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  田灿灿
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/08/24
一种双光路脉冲激光在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法 专利
专利号: CN109830429A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者:  陆珊珊;  刘宇伦;  莫观孔;  莫组康;  沈晓明
收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/12/30
一种高质量GaN薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN108538977A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者:  贾伟;  樊腾;  李天保;  仝广运;  董海亮
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集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 专利
专利号: CN108233181A, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
作者:  施政;  王永进;  张帅;  蒋元;  王帅
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一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片 专利
专利号: CN207217575U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  黄华茂;  杨倬波;  王洪;  胡晓龙
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聚酰亚胺衬底上低温生长GaN薄膜研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者:  卢康
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ECR-PEMOCVD  PI  AgNWs  GaN  柔性衬底  AFM  
ZrB2/Ni衬底低温沉积GaN薄膜的研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者:  邱骞
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/02
ZrB_2/Ni衬底低温沉积GaN薄膜的研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者:  邱骞
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/02


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