一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法

	一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
	陆珊珊; 刘宇伦; 莫观孔; 莫组康; 沈晓明; 何欢; 符跃春
	2019-05-31
著作权人	广西大学
专利号	CN109830429A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法
英文摘要	本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min、30～50min、50～70min、50～70min；所述InGaN层采用双光路工艺进行。本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
公开日期	2019-05-31
申请日期	2019-01-23
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55262]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	广西大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陆珊珊,刘宇伦,莫观孔,等. 一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法. CN109830429A. 2019-05-31.