| 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 | |
| 施政; 王永进; 张帅; 蒋元; 王帅 | |
| 2018-06-29 | |
| 著作权人 | 南京邮电大学 |
| 专利号 | CN108233181A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法，通过硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，获得悬空量子阱二极管器件结构，并利用聚焦离子束刻蚀和电子束蒸镀技术形成集成于悬空InGaN/GaN量子阱二极管的谐振光栅微腔，实现集成谐振光栅微腔的电泵浦悬空GaN薄膜激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的悬空GaN薄膜激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。 |
| 公开日期 | 2018-06-29 |
| 申请日期 | 2017-12-28 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92218]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施政,王永进,张帅,等. 集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法. CN108233181A. 2018-06-29. |
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