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Two-dimensional ambipolar van der Waals heterostructures enabling in-sensor computing for high-accuracy image recognition
期刊论文
SCIENCE CHINA-MATERIALS, 2022, 页码: 2
作者:
Cheng, Hui-Ming
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2022/07/14
Ultrafast photothermoelectric effect in Dirac semimetallic Cd3As2 revealed by terahertz emission
期刊论文
Nature Communications, 2022, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 9
作者:
W. Lu
;
Z. P. Fan
;
Y. K. Yang
;
J. C. Ma
;
J. W. Lai
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2023/06/14
Highly efficient non-doped blue OLED based on perylene
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 119, 期号: 5, 页码: 1ENG
作者:
Liang, N.
;
Zhao, Y. K.
;
Wu, Y. Z.
;
Zhang, C. R.
;
Shao, M.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/10/14
Energy transfer
Polycyclic aromatic hydrocarbons
Aggregation behavior
Ambipolar materials
Blue emitter
Blue organic light emitting diodes
External quantum efficiency
Fluorescent materials
Formation mechanism
Maximum luminance
Naphthalene diimide based near-infrared luminogens with aggregation-induced emission characteristics for biological imaging and high mobility ambipolar transistors
期刊论文
SCIENCE CHINA-CHEMISTRY, 2020, 页码: 10
作者:
Guo, De
;
Li, Lin
;
Zhu, Xianqi
;
Heeney, Martin
;
Li, Jing
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/08/24
aggregation induced emission (AIE)
naphthalene diimides (NDI)
near-infrared (NIR) solid emission
organic field effect transistors (OFETs)
bio-imaging
Enhanced linear magneto-resistance near the Dirac point in topological insulator Bi-2(Te1-xSex)(3) nanowires
期刊论文
NANO RESEARCH, 2020, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1332-1338
作者:
Wei, LingNan
;
Wang, ZhenHua
;
Zhang, ZhiDong
;
Liu, Chieh-Wen
;
Gao, Xuan P. A.
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/02/02
Topological insulator
nanowire
ambipolar conduction
bismuth selenide
bismuth telluride
linear magneto-resistance
weak anti-localization
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors
期刊论文
半导体学报:英文版, 2020, 卷号: 41.0, 期号: 007, 页码: 28-32
作者:
Xiuxin Xia
;
Xiaoxi Li
;
Hanwen Wang
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2021/02/02
metal-insulator
transition
gate
tunable
GaTe
field
effect
transistors
Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field-Effect Transistor with Direct Band Gaps
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 41, 页码: 38031-38038
作者:
Zhao, Hongquan
;
Yang, Yuhui
;
Wang, Chunxiang
;
Zhou, Dahua
;
Shi, Xuan
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2020/08/24
few-layer GeSe
field-effect transistors
photoresponse time
broadband photoresponse
direct band gaps
ambipolar behavior
Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 10705
作者:
Zhao, Mingxing
;
Xia, Wei
;
Wang, Yang
;
Luo, Man
;
Tian, Zhen
收藏
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2019/12/26
Nb2SiTe4
ambipolar transistor
mid-infrared
two-dimensional material
narrow gap
stability
Low Band Gap Donor-Acceptor Conjugated Polymers with Indanone-Condensed Thiadiazolo[3,4-g]quinoxaline Acceptors
期刊论文
MACROMOLECULES, 2019, 卷号: 52, 期号: 16, 页码: 6149-6159
作者:
Chen, Huajie
;
Cai, Guosheng
;
Guo, Ankang
;
Zhao, Zhiyuan
;
Kuang, Junhua
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2019/09/30
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