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The influence of temperature on set voltage for different high resistance state in 1T1R devices 期刊论文
Applied Physics Express, 2019, 卷号: Vol.12 No.2, 页码: 024004
作者:  Yung-Fang Tan;  Yu-Ting Su;  Min-Chen Chen;  Ting-Chang Chang;  Tsung-Ming Tsai
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/17
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/09/17
一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路 专利
专利号: CN201510217146.6, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2015-07-29
作者:  李智;  张锋;  鲁岩;  姚穆;  项中元
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/04/27
Testing of 1TnR RRAM array with sneak path technique 期刊论文
Science China. Information Science, 2017
Cui Xiaole; Zhang Qiang; Cui Xiaoxin; Wang Xinan; Kang Jinfeng; Liu Xiaoyan
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03
Testing of 1TnR RRAM array with sneak path technique 期刊论文
Science China(Information Sciences), 2017
Xiaole CUI; Qiang ZHANG; Xiaoxin CUI; Xinan WANG; Jinfeng KANG; Xiaoyan LIU
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03
Logic operation-based Design for Testability method and parallel test algorithm for 1T1R crossbar 期刊论文
Electronics Letters, 2017, 卷号: Vol.53 No.25, 页码: 1631-1632
作者:  Liu, Peng;  You, Zhiqiang;  Kuang, Jishun;  Elimu, Michael;  Cai, Shuo
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31
Simulation of the RRAM-based Flip-Flops with Data Retention 其他
2016-01-01
Li, Mu; Huang, Peng; Shen, Lei; Zhou, Zheng; Kang, Jin-Feng; Liu, Xiao-Yan
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03
RRAM  non-volatile  flip-flop  IoT  1T1R  SPICE  MODEL  
Efficient March test algorithm for 1T1R cross-bar with complete fault coverage 期刊论文
Electronics Letters, 2016, 卷号: Vol.52 No.18, 页码: 1520-1522
作者:  Liu, Peng;  You, Zhiqiang;  Kuang, Jishun;  Hu, Zhipeng;  Duan, Heng
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31
三维半导体存储器件及其制备方法 专利
专利号: US9000409, 申请日期: 2015-04-07, 公开日期: 2012-06-28
作者:  刘明;  霍宗亮
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/10/26
Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching 期刊论文
Electron Device Letters, 2014
作者:  Liu HT(刘宏涛);  Lv HB(吕杭炳);  Yang BH(杨保和);  Xu XX(许晓欣);  Liu RY(刘若愚)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/14

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