一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路
李智; 张锋; 鲁岩; 姚穆; 项中元
2017-07-14
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN201510217146.6
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路,该电路包括自适应调整脉冲宽度模块、MOS管T2、Cell电流实时检测模块、1T1R存储单元、第一数据选择器和第二数据选择器,在写操作执行的过程中,MOS管T2采样出流过1T1R存储单元的电流,Cell电流实时检测模块通过检测这个电流的变化来判断写操作是否完成,如果写操作完成,则改变自适应调整脉冲宽度模块中比较器的输出,进而关闭自适应调整脉冲宽度模块中动态脉冲宽度幅度信号发生器,避免产生过写情况,实现自适应地调整写信号脉冲宽度幅度。本发明具有针对不同存储单元自适应调整写脉冲宽度幅度的特性,保证了写速度的同时,提高了写入的正确率,也大大降低了写操作的功耗。

公开日期2015-07-29
申请日期2015-04-30
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/17943]  
专题微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李智,张锋,鲁岩,等. 一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路. CN201510217146.6. 2017-07-14.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace