一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路 | |
李智; 张锋; 鲁岩; 姚穆; 项中元 | |
2017-07-14 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201510217146.6 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路,该电路包括自适应调整脉冲宽度模块、MOS管T2、Cell电流实时检测模块、1T1R存储单元、第一数据选择器和第二数据选择器,在写操作执行的过程中,MOS管T2采样出流过1T1R存储单元的电流,Cell电流实时检测模块通过检测这个电流的变化来判断写操作是否完成,如果写操作完成,则改变自适应调整脉冲宽度模块中比较器的输出,进而关闭自适应调整脉冲宽度模块中动态脉冲宽度幅度信号发生器,避免产生过写情况,实现自适应地调整写信号脉冲宽度幅度。本发明具有针对不同存储单元自适应调整写脉冲宽度幅度的特性,保证了写速度的同时,提高了写入的正确率,也大大降低了写操作的功耗。 |
公开日期 | 2015-07-29 |
申请日期 | 2015-04-30 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17943] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李智,张锋,鲁岩,等. 一种脉冲宽度幅度自适应的阻变存储器写驱动电路. CN201510217146.6. 2017-07-14. |
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