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栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应 期刊论文
Nuclear Techniques, 2012, 卷号: 35, 期号: 11
作者:  Xi Shanbin;  Lu Wu;  Ren Diyuan;  Wang Zhikuan;  Zhou Dong
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
作者:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
作者:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/11/29
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
作者:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/11/29
80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
作者:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
作者:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/29
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
作者:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29

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