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80
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Method of fabricating a high power semiconductor laser with self-aligned ion implantation
专利
专利号: US6165811, 申请日期: 2000-12-26, 公开日期: 2000-12-26
作者:
LEE, JUNG KEE
;
PARK, KYUNG HYUN
;
CHO, HO SUNG
;
NAM, EUN SOO
;
JANG, DONG HOON
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/24
The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2000, 卷号: 49, 页码: 2210-2213
作者:
Wang, YS
;
Li, JM
;
Jin, YF
;
Wang, YT
;
Lin, LY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/05/31
Si1-xCx alloy
ion implantation
solid phase epitaxy
The formation and characteristics of si1-xcx alloys in si crystals by means of implantation of cions with different doses
期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213
作者:
Wang, YS
;
Li, JM
;
Jin, YF
;
Wang, YT
;
Lin, LY
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Si1-xcx alloy
Ion implantation
Solid phase epitaxy
Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect
期刊论文
Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190
作者:
Liao, MY
;
Zhang, JH
;
Qin, FG
;
Liu, ZK
;
Yang, SY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Amorphous carbon
Ion bombardment
Mass-selected low energy ion beam
Method for fabricating optoelectronic device in low-temperature deposition and thermal treatment
专利
专利号: US6124147, 申请日期: 2000-09-26, 公开日期: 2000-09-26
作者:
SHIM, KYU HWAN
;
PAEK, MUN CHEOL
;
CHO, KYOUNG IK
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Biological effects of Stevia rebaudianum induced by carbon ion implantation
期刊论文
2000
Shen, M. S.
;
Jiang, X. Z.
;
Xu, J. S.
;
Chen, L.
;
Chen, M. C.
;
陈亮
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2013/12/12
Stevia rebaudianum
carbon ion implantation
organelle
biology effects
Radiation damage and annealing behavior of 2.0 mev er-160(+) implanted silicon
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 77, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:
Li, YG
;
Tan, CY
;
Zhang, JP
;
Xue, CS
;
Xu, HL
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Ion implantation
Damage profile
Annealing behavior
Photoluminescence and raman scattering of silicon nanocrystals prepared by silicon ion implantion into sio2 films
期刊论文
Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1439-1442
作者:
Li, GH
;
Ding, K
;
Chen, Y
;
Han, HX
;
Wang, ZP
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Study of the nuclear phenomena in the low energy (60-360 keV) proton beam implantation on metals
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2000, 卷号: 9, 期号: 6, 页码: 494-499
作者:
Wang, ZG
;
Wang, TS
;
Jin, GM
;
Wang, SJ
;
Zhu, YT
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
low energy proton
nuclear reaction
ion beam implantation
Ion implantation fabricated integrated gaas quantum well multi-wavelength light emitting chip
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 181-184
作者:
Li, ZF
;
Liu, XQ
;
Chen, CM
;
Lu, W
;
Shen, XC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/04/23
Gaas quantum well
Ion implantation
Interface intermixing
Photoluminescence
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