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科研机构
西安光学精密机械研究... [9]
半导体研究所 [1]
内容类型
专利 [9]
期刊论文 [1]
发表日期
1985 [10]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:1985
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Tandem coupled cavity lasers with separate current control and high parasitic resistance between them for bistability and negative resistance characteristics and use thereof for optical disc readout
专利
专利号: US4562569, 申请日期: 1985-12-31, 公开日期: 1985-12-31
作者:
YARIV, AMNON
;
HARDER, CHRISTOPH
;
LAU, KAM-YIN
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提交时间:2019/12/23
Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 2 um to 7 um by liquid-phase epitaxy
专利
专利号: EP0164093A2, 申请日期: 1985-12-11, 公开日期: 1985-12-11
作者:
KUPHAL, ECKART, DR.
;
BURKHARD, HERBERT, DR.
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
专利号: JP1985231379A, 申请日期: 1985-11-16, 公开日期: 1985-11-16
作者:
YAMASHITA SHIGEO
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser
专利
专利号: JP1985164380A, 申请日期: 1985-08-27, 公开日期: 1985-08-27
作者:
KITAMURA MITSUHIRO
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提交时间:2020/01/18
Blue light semiconductor laser
专利
专利号: JP1985164382A, 申请日期: 1985-08-27, 公开日期: 1985-08-27
作者:
SUZUKI TOORU
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/18
Double channel planar buried heterostructure laser
专利
专利号: US4525841, 申请日期: 1985-06-25, 公开日期: 1985-06-25
作者:
KITAMURA, MITSUHIRO
;
MITO, IKUO
;
KOBAYASHI, KOHROH
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提交时间:2019/12/24
W-shaped diffused stripe GaAs/AlGaAs laser
专利
专利号: US4521887, 申请日期: 1985-06-04, 公开日期: 1985-06-04
作者:
LIU, YET-ZEN
;
HONG, CHI-SHAIN
;
DAPKUS, P. DANIAL
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提交时间:2019/12/26
Zinc-diffused narrow stripe AlGaAs/GaAs double heterostructure laser
专利
专利号: US4517674, 申请日期: 1985-05-14, 公开日期: 1985-05-14
作者:
LIU, YET-ZEN
;
HONG, CHI-SHAIN
;
DAPKUS, P. DANIAL
;
COLEMAN, JAMES J.
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提交时间:2019/12/26
Injection laser manufacture
专利
专利号: US4509996, 申请日期: 1985-04-09, 公开日期: 1985-04-09
作者:
GREENE, PETER D.
;
TURLEY, STEPHEN E. H.
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提交时间:2020/01/18
INVESTIGATION OF HETEROSTRUCTURE DEFECTS FOR LPE GA1-XALXAS/GAAS
期刊论文
journal of crystal growth, 1985, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 483-490
SHEN HY
;
LIANG JW
;
CHU JM
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提交时间:2010/11/15
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