| Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 2 um to 7 um by liquid-phase epitaxy | |
| KUPHAL, ECKART, DR.; BURKHARD, HERBERT, DR. | |
| 1985-12-11 | |
| 著作权人 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
| 专利号 | EP0164093A2 |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 2 um to 7 um by liquid-phase epitaxy |
| 英文摘要 | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Doppelheterostruktur-InGaAsP/InP- bzw. InGaAs/InP-Lasern und -LED's mittels LPE, die bis zu einer Wellenlänge von λ. = 1,7 µm optische Strahlung emittieren. Durch das Wachsen der InP-Deckschicht aus einer Sn-In-P-Lösung wird das Anlösen der aktiven Schicht bei Gap-Wellenlängen λg ≥ 1,5 µm vermieden und somit keine Anti-Meltback-Schicht benötigt. Durch einen inversen Aufbau der Schichtstruktur bezüglich der Dotierung basierend auf einem p-InP-Substrat wird erreicht, dass die zwangsläufig stark n-dotierte InP-Deckschicht den passenden Leitungstyp hat. Ein solcher Doppelheterostruktur-Laser bzw. -LED besteht, wie in Fig. 1 ersichtlich, aus nur drei epitaktischen Schichten, wodurch die Technologie ganz entscheidend vereinfacht wird. |
| 公开日期 | 1985-12-11 |
| 申请日期 | 1985-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88485]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KUPHAL, ECKART, DR.,BURKHARD, HERBERT, DR.. Method for manufacturing InGaAsP and InGaAs double-heterostructure lasers and LED's for the wavelength range from 2 um to 7 um by liquid-phase epitaxy. EP0164093A2. 1985-12-11. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论