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半导体研究所 [21]
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期刊论文 [19]
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2011 [3]
2010 [2]
1999 [2]
1998 [6]
1997 [6]
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Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 118503
Li B (Li Bin)
;
Yang HW (Yang Huai-Wei)
;
Gui Q (Gui Qiang)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Wang J (Wang Jie)
;
Wang XP (Wang Xiu-Ping)
;
Liu SQ (Liu Shao-Qing)
;
Han Q (Han Qin)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/03/27
High stability and linear tuning wavelength tunable resonant cavity enhanced photo-detector grown on GaAs
期刊论文
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 18502
Wang, J
;
Han, Q
;
Yang, XH
;
Ni, HQ
;
He, JF
;
Wang, XP
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/17
Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703
作者:
收藏
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浏览/下载:57/7
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提交时间:2011/07/05
V-groove substrate
quantum wires
GaAs
EPITAXIAL-GROWTH
TRANSISTOR
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208
Wang J
;
Han Q
;
Yang XH
;
Wang XP
;
Ni HQ
;
He JF
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/02/06
HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS
III-V SEMICONDUCTORS
PSEUDOMORPHIC MODFETS
GAAS
FABRICATION
TRANSISTOR
ALGAAS
High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: article no.201104
作者:
Li MF
;
He JF
收藏
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浏览/下载:35/3
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提交时间:2011/07/05
I-N PHOTODIODES
Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038504
Zhu B (Zhu Bin)
;
Han Q (Han Qin)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
He JF (He Ji-Fang)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Wang X (Wang Xin)
;
Wang XP (Wang Xiu-Ping)
;
Wang J (Wang Jie)
收藏
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浏览/下载:124/5
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提交时间:2010/04/22
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYERS
DARK CURRENT
PHOTODIODES
LASERS
Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 8, 页码: art. no. 083503
Yang XH (Yang Xiaohong)
;
Xu XL (Xu Xiulai)
;
Wang XP (Wang Xiuping)
;
Ni HQ (Ni Haiqiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Williams DA (Williams David A.)
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浏览/下载:68/2
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提交时间:2010/04/22
III-V semiconductors
indium compounds
laser beam applications
nanoelectronics
photoelectric devices
photoelectricity
phototransistors
semiconductor quantum dots
I-N JUNCTIONS
A raman scattering study of gaas: as films lifted off gaas substrate
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 629-631
作者:
Jiang, DS
;
Li, XP
;
Sun, BQ
;
Han, HX
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
A Raman scattering study of GaAs: As films lifted off GaAs substrate
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 629-631
作者:
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
TEMPERATURE-GROWN GAAS
Effects of growth interruption on self-assembled inas/gaas islands
期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Wang, ZM
;
Feng, SL
;
Yang, XP
;
Lu, ZD
;
Xu, ZY
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Inas/gaas
Islands
Mbe
Pl
Growth interruption
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