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HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26
于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101350298, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度 期刊论文
半导体技术, 2009, 期号: 12
曹明霞; 于广辉; 王新中; 林朝通; 卢海峰; 巩航

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HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO₂纳米掩膜及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101229912, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
王新中; 于广辉; 雷本亮; 林朝通; 王笑龙; 齐鸣

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钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101220466, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16
林朝通; 于广辉; 雷本亮; 王新中; 王笑龙; 齐鸣

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Effects of environmental temperature on the performance of a micromachined gyroscope 期刊论文
MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2008, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 199-204
Liu, GJ; Wang, AL; Jiang, T; Jiao, JW; Jang, JB

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