| 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 | |
| 王新中 ; 于广辉 ; 林朝通 ; 曹明霞 ; 卢海峰 ; 李晓良 ; 巩航 ; 齐鸣 ; 李爱珍 | |
| 2009-07-22 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101488475 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在 于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之 前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属 Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，然后将其刻蚀成 多孔状，接着往多孔GaN孔中沉积一层介质SiO2或SiNx薄层，这样就在GaN 模板上得到了带有钝化层超大纳米孔径的结构，经过清洗后，最后把这个多 孔衬底置于HVPE反应腔内生长G |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-07-22 |
| 申请日期 | 2009-02-20 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910046376.5 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49031]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王新中,于广辉,林朝通,等. 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法. CN101488475. 2009-07-22. |
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