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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征 期刊论文 红外, 2017, 期号: 2, 页码: 1-6 作者:  孙常鸿;  张鹏;  张天宁;  陈鑫;  叶振华 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/11/20 原子层沉积  硫化锌  薄膜   ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrates at very low temperature 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 280-286 作者:  Sun CH;  Zhang P;  Zhang TN;  Chen X;  Chen YY 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/11/20 Atomic layer deposition  ZnS film  Low growth temperature   Surface Oxidation Properties in a Topological Insulator Bi2Te3 Film 期刊论文 CHIN.PHYS.LETT., 2013, 卷号: 30, 期号: 10 作者:  GUOJian-Hua QIUFeng ZHANGYun DENGHui-Yong HUGu-Jin LIXiao-Nan YUGuo-Lin DAINing 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/10 Quaternary Cu2CdSnS4 nanoparticles synthesized by a simple solvothermal method 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 534, 期号: 0 作者:  Cao, M;  Li, L;  Fan, WZ;  Liu, XY;  Sun, Y 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/18 ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  郭靖 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/11 Hgcdte  Icp  Polymer  Loading  Effect  Etch  Lag  刻蚀损伤