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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers 会议论文 6th international conference on nanoscience and technology, beijing, peoples r china, jun 04-06, 2007 Wu, BP; Wu, DH; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/09 InAs Quantum Dots   Substrate temperature dependence of znte epilayers grown on gaas(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Li, Yanbo 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Reflection high-energy electron diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Zinc compounds  Semiconducting ii-vi materials   Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文 Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726 作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Crystal orientation  Etching  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Photoluminescence  Red shift  Scanning electron microscopy  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor thin films  Vapour phase epitaxial growth  X-ray diffraction   Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 Zhao J (Zhao Jie); Zeng YP (Zeng Yiping); Liu C (Liu Chao); Li YB (Li Yanbo) 收藏  |  浏览/下载：148/33  |  提交时间：2010/06/04 Reflection high-energy electron diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials   Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726 Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：293/52  |  提交时间：2010/06/18 atomic force microscopy   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   Long-wavelength emission inas quantum dots grown on ingaas metamorphic buffers 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336 作者:  Wu, B. P.;  Wu, D. H.;  Xiong, Y. H.;  Huang, S. S.;  Ni, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Metamorphic buffer  Molecular beam epitaxy   1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文 Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Hemt  Mocvd  Power device  Sic substrates   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   Evolution of mosaic structure in inn grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 作者:  Huang, Y.;  Wang, H.;  Sun, Q.;  Chen, J.;  Li, D. Y. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth mode  X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Indium nitride