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科研机构
上海微系统与信息技... [15]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
2012 [1]
2010 [2]
2009 [3]
2008 [1]
2005 [4]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
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发表日期升序
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Fluoroalcohol and fluorinated-phenol derivatives functionalized mesoporous SBA-15 hybrids: high-performance gas sensing toward nerve agent
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 2263-2270
Zheng, Q
;
Zhu, YH
;
Xu, JQ
;
Cheng, ZX
;
Li, HM
;
Li, XX
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/04/23
Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 1020-1025
Liu, XY
;
Ma, XB
;
Du, XF
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
ON-INSULATOR
MOBILITY ENHANCEMENT
FABRICATION
RELAXATION
MECHANISM
SILICON
Modified postannealing of the Ge condensation process for better-strained Si material and devices
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 1020-1025
Liu, XY
;
Ma, XB
;
Du, XF
;
Liu, WL
;
song, zt(重点实验室)
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Physics
Electrical & Electronic
Nanoscience & Nanotechnology
Applied
Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 17, 页码: 7743-7748
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Chen, C
;
Du, XF
;
Liu, XY
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/03/24
STRAINED SI
MOBILITY
DEVICES
LAYERS
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Fabrication of high Ge content SiGe-on-insulator with low dislocation density by modified Ge condensation
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2009, 卷号: 255, 期号: 17, 页码: 7743-7748
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Chen, C
;
Du, XF
;
Liu, XY
;
song, zt(重点实验室)
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/05/10
Chemistry
Materials Science
Physics
Physics
Physical
Coatings & Films
Applied
Condensed Matter
Improved GaN film overgrown with a molybdenum nanoisland mask
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 3, 页码: 31906-31906
Lin, CT
;
Yu, GH
;
Wang, XZ
;
Cao, MX
;
Gong, H
;
Qi, M
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
MICRO-RAMAN
CATHODOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
LAYERS
Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Lin, Q
;
Chu, PK
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
DIFFUSION
OXIDATION
GERMANIUM
SILICON
ALLOYS
Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280
Di, ZF
;
Huang, AP
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Luo, SH
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/03/24
MOBILITY ENHANCEMENT
RAMAN-SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
COMPLIANT OXIDE
N-MOSFETS
OXIDATION
SUBSTRATE
STABILITY
ELECTRON
ISLANDS
Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504
Di, ZF
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Song, ZT
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2012/03/24
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
STRAINED-SI
MOBILITY ENHANCEMENT
OXIDATION
ELECTRON
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