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| SiGe体区纵向1T-DRAM器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310035130.4, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-08-06
作者: 方雯; 罗军 ; 赵超
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| 一种FINFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18
作者: 刘云飞; 尹海洲
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| 一种刻蚀方法 专利
专利号: CN201510996470.2, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2016-05-25
作者: 李俊杰; 李俊峰; 杨清华; 刘金彪; 贺晓彬
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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| 一种中高压IGBT终端 专利
申请日期: 2013-03-18,
作者: 朱阳军; 田晓丽; 卢烁今; 吴振兴
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| 对现场可编程门阵列中查找表延迟故障进行检测的方法 专利
申请日期: 2011-12-16,
作者: 赵岩; 于芳
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| 一种硅基液晶金属布线加工方法 专利
专利号: CN200810119970.8, 申请日期: 2011-11-16, 公开日期: 2009-04-22
作者: 杜寰; 宋李梅; 王文博; 黄冉; 王晓慧
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| 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 专利
专利号: CN200810240275.7, 申请日期: 2011-04-20, 公开日期: 2009-05-27
作者: 陈大鹏; 何伟; 明安杰; 薛惠琼; 焦斌斌
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| 常压低温冷等离子体放电通道装置 专利
专利号: CN2746712, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2005-12-14, 2010-11-26
作者: 王守国
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