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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of crack-free AlN film on sapphire by hydride vapor phase epitaxy using an in situ etching method 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 4 作者:  Liu, XH(刘雪华);  Zhang, JC(张纪才);  Su, XJ(苏旭军);  Huang, J(黄俊);  Zheng, SN(郑树楠) 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2017/03/11 Control of symmetric properties of metamorphic In0.27Ga0.73As layers by substrate misorientation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 3 作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Dong, JR(董建荣);  Sun, YR(孙玉润);  Li, KL(李奎龙);  Zeng, XL(曾徐路) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2015, 卷号: 593, 页码: 5 作者:  Li, KL(李奎龙);  Sun, YR(孙玉润);  Dong, JR(董建荣);  He, Y(何洋);  Zeng, XL(曾徐路) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/31 Metamorphic GaInP buffers  Threading dislocations  X-ray diffraction  Strain relaxation  Dislocation annihilation   Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267 作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/13 Stresses  X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文 Physica B-Condensed Matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 作者:  Yang H (杨辉);  Zhang SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/03/13 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence