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苏州纳米技术与纳米仿... [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2017 [1]
2014 [2]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [2]
2008 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Evolution of threading dislocations in GaN epitaxial laterally overgrown on GaN templates using self-organized graphene as a nano-mask
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者:
Xu, Yu(徐俞)
;
Cao, Bing
;
He, Shunyu
;
Qi, Lin
;
Li, Zongyao
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/02/05
Broadband and omnidirectional antireflection of Si nanocone structures cladded by SiN film for Si thin film solar cells
期刊论文
OPTICS COMMUNICATIONS, 2014, 卷号: 316, 期号: 0, 页码: 37-41
作者:
Zhang, RY (张瑞英)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2015/02/03
Si nanocone structure cladded by SiN
Broadband and omnidirectional antireflection
Si thin film solar cells
Demonstration of Normally-Off Recess-Gated AlGaN/GaN MOSFET Using GaN Cap Layer as Recess Mask
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 期号: 12, 页码: 1197-1199
作者:
Cai, Y (蔡勇)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2015/02/03
Self-terminating
normally-off
AlGaN/GaN MOSFET
GaN cap layer
gate recess
recess mask
Fabrication of cantilever with self-sharpening nano-silicon-tip for AFM applications
期刊论文
Microsystem Technologies, 2012, 期号: 7
作者:
Jiadong Li(李加东)
;
Dongmin Wu(吴东岷)
;
Dongmin Wu(吴东岷)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/01/25
Light extraction efficiency improvement and strain relaxation in InGaN/GaN multiple quantum well nanopillars
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 8
作者:
Zhang, SM (张书明)
;
Zhang, SM (张书明)
;
Yang, H (杨辉)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/08/22
The fabrication of GaN-based nanopillar light-emitting diodes
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7
作者:
Yang H (杨辉)
;
Zhang SM (张书明)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/03/11
Self-induced growth of vertical free-standing InAs nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy
期刊论文
Nanotechnology, 2010, 卷号: 21, 期号: 36
作者:
Zhang JP (张锦平)
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浏览/下载:204/63
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提交时间:2010/12/13
Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488
作者:
Zhang SM
;
Yang H(杨辉)
;
Zhang SM
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提交时间:2010/01/15
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