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AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05
Low Hysteresis Carbon Nanotube Transistors Constructed via a General Dry-Laminating Encapsulation Method on Diverse Surfaces 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017
作者:  Yang, Yi;  Wang, Zhongwu;  Xu, Zeyang;  Wu, Kunjie
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2018/02/05
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12
作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11
Printed thin film transistors and CMOS inverters based on semiconducting carbon nanotube ink purified by a nonlinear conjugated copolymer 期刊论文
NANOSCALE, 2016, 卷号: 8, 期号: 8
作者:  Xu, WY(徐文亚);  Dou, JY(窦军彦);  Zhao, JW(赵建文);  Tan, HW;  Ye, J
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/11
Flexible CMOS-Like Circuits Based on Printed P-Type and N-Type Carbon Nanotube Thin-Film Transistors 期刊论文
SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 36
作者:  Zhang, X(张祥);  Zhao, JW(赵建文);  Dou, JY(窦军彦);  Tange, M;  Xu, WW(许威威)
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11
Sorting semiconducting single walled carbon nanotubes by poly(9,9-dioctylfluorene) derivatives and application for ammonia gas sensing 期刊论文
CARBON, 2015, 卷号: 94, 页码: 8
作者:  Zhang, X(张祥);  Zhao, JW(赵建文);  Tange, M;  Xu, WY(徐文亚);  Xu, WW(许威威)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/31
Scaling behavior of hysteresis in multilayer MoS2 field effect transistors 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 9
作者:  Ceng ZM(曾中明);  Zhang BS(张宝顺)
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/12/01
12.5 A/350 V AlGaN/GaN-on-Si MOS-HEMT with low specific on-resistance and minimal threshold hysteresis 期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2014, 卷号: 50, 期号: 18, 页码: 1322-1333
作者:  Ceng CH(曾春红);  Zhang BS(张宝顺)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/12/01
Effect of Surface Wettability Properties on the Electrical Properties of Printed Carbon Nanotube Thin-Film Transistors on SiO2/Si Substrates 期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 卷号: 6, 期号: 13, 页码: 9997-10004
作者:  Cui Z(崔铮)
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/12/02

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