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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reduction of NiGe/n-and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2016 作者:  Duan NY(段宁远);  Wang GL(王桂磊);  Liu JB(刘金彪);  Eddy simoen;  Mao SJ(毛淑娟) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/05/09