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The photoluminescence of SiCN thin films prepared by C+ implantation into alpha-SiNx:H 外文期刊
2010
作者:  Dong, LJ;  Zhang, GB;  Xu, PS;  Chen, DP;  Chen, CO
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26
Effects of Shell Strain on Valence Band Structure and Transport Properties of Ge/Si1-xGex Core-Shell Nanowire 外文期刊
2010
作者:  Zhao, YN;  Xu, HH;  Du, G;  Liu, XY;  Fan, C
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊
2009
作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF
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HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
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Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, Y;  Cheng, W;  Liu, X;  Xu, A
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High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26
High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26
Study of strained-silicon channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊
2008
作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Xu, QX;  Liu, BG
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200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 外文期刊
2008
作者:  Xu, JB;  Zhang, HY;  Wang, WX;  Liu, L;  Li, M
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