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新疆理化技术研究所 [15]
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期刊论文 [15]
发表日期
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2010 [1]
2005 [7]
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栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应
期刊论文
Nuclear Techniques, 2012, 卷号: 35, 期号: 11
作者:
Xi Shanbin
;
Lu Wu
;
Ren Diyuan
;
Wang Zhikuan
;
Zhou Dong
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2013/11/07
PNP双极晶体管
60Co-gamma辐照
辐照感生电荷
电荷分离
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
作者:
李明
;
余学峰
;
卢健
;
高博
;
崔江维
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/11/29
PDSOI
SRAM
总剂量效应
功耗电流
退火效应
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应
期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
作者:
吴雪
;
陆妩
;
王义元
;
胥佳灵
;
张乐情
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/11/29
BiCMOS
模数转换器
剂量率
60Coγ辐照
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究
期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
作者:
高博
;
余学峰
;
任迪远
;
李豫东
;
李茂顺
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/11/29
DC-DC电源转换器
辐射损伤效应
退火效应
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应
期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
作者:
李鹏伟
;
郭旗
;
任迪远
;
于跃
;
王义元
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2012/11/29
电荷耦合器件
位移损伤
γ射线
电子辐照
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学峰
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/11/29
运算放大器
60Coγ辐照
退火
剂量率效应
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
作者:
崔帅
;
余学峰
;
任迪远
;
张华林
;
艾尔肯
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/11/29
预先老化
辐照
注F
可靠性
80C31单片机电路总剂量效应研究
期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
作者:
匡治兵
;
郭旗
;
任迪远
;
李爱武
;
汪东
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/11/29
单片机
60Coγ辐照
辐射损伤
退火
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
作者:
陆妩
;
任迪远
;
郭旗
;
余学锋
;
郑毓峰
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/29
CMOS运算放大器
跨导
栅氧层
氧化物电荷
界面态
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性
期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
作者:
陆妩
;
余学锋
;
任迪远
;
艾尔肯
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/11/29
双极晶体管
60Coγ辐照
剂量率效应
退火
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